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基于分子模拟技术研究氧化硅材料光频下的介电性能

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介电性能是电介质材料最重要的性质,但是在极端条件(如高温)下现有的实验方法均无法测量材料的介电特性.分子模拟技术可作为介电性能试验研究的重要补充,用来模拟材料光频介电性能.本文将第一性原理和分子动力学相结合,解决电介质材料在光频范围内下的介电特性问题.首先建立SiO2的微观结构模型,进行某一温度下的分子动力学计算,得到该温度下电介质材料的微观结构模型和动力学特性.利用该微观结构模型进行第一原理的计算,得到在该温度下电介质光频范围的介电性能.该方法对于SiO2的介电性能研究和材料改性具有重要意义.

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来源
《第十届全国工程电介质会议》|2005年|199-202|共4页
会议地点成都
作者
崔浩; 谢小军; 陈小林; 冯武彤; 成永红;
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作者单位

中国电工技术学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类无机绝缘材料（总论）;
关键词
电介质; 氧化硅材料; 分子模拟; 介电性能; 分子动力学; 第一性原理;

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