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吴雪梅; 诸葛兰剑; 柳襄怀;
中国仪器仪表学会;
功能材料信息编辑部;
栅极电子发射; 薄膜材料; 表面相结构; 双离子束溅射;
机译:研究HfSiON栅极介电MOSFET陷阱特性的新型瞬态表征技术-从单电子发射到PBTI恢复瞬态
机译:具有HfO_xN_y和HfO_2栅极电介质的非晶InGaZnO薄膜晶体管的比较研究
机译:脉冲激光沉积HfO_2和Hf-铝酸盐薄膜用于高k栅极电介质应用的比较研究
机译:Pt膜抑制TWT中栅极电子发射的机理
机译:栅极平面化和铝栅极完全自对准的非晶硅薄膜晶体管,用于大面积和高分辨率有源矩阵液晶显示器(AMLCD)。
机译:双栅极薄膜晶体管悬挂式栅极适用于触觉力传感器
机译:用HFO-= sub = -2 - = / sub = - / la-= sub = -2- =的双栅双极层(DG-DAL)薄膜晶体管(TFT)电性能的研究。 / sub = -o- = sub = -3 - = / sub = - / hfo-= sub = -2 - = / sub = - (HLH)三明治栅极电介质
机译:喷射气相沉积(JVD)氧化硅/氮化物/氧化物薄膜(ONO)薄膜作为siC和GaN器件的栅极电介质的研究。
机译:Hf3N4 / HfO2薄膜的原子层沉积作为栅极电介质
机译:在栅极主体上的导电预层和抑制剂薄膜上的导电层之间具有栅极主体和抑制剂膜的半导体器件
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