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慢正电子束流在材料缺陷研究方面的应用-部分用户研究简介

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利用慢正电子束流技术对SiO2/Si体系的研究已经有大量的文献报道,北京22Na慢正电子束流装置在安装调试结束后,为了检验系统的工作性能,对该体系进行了多普勒展宽测量.实验中使用的硅片为p型单晶Si(100),SiO2层是通过Si放置在空气中自然氧化形成,膜层厚度＜20nm.正电子能量范围0.1～25keV,测量在室温下进行,真空度优于10-6Pa.选择对多普勒展宽能谱中计算S参数的能量范围,使S≈0.5.根据不同能量E条件下测量得到的S参数和W参数,得到S-E曲线和W-E曲线.本文介绍基于核分析技术重点实验室运行开放体制,众多用户利用北京慢正电子束流装置对体材料,表面缺陷,薄膜结构,离子注入引起的缺陷等进行了系统研究.基于慢正电子束流研究平台的寿命谱方法等的建立,将为用户的应用研究提供更丰富的手段.

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来源
《第九届全国正电子谱学术会议》|2005年|10-15|共6页
会议地点浙江绍兴
作者
周春兰; 马创新; 郝小鹏; 章志明; 王宝义; 魏龙;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类谱仪;材料结构及物理性质;
关键词
慢正电子束流; 多普勒展宽测量; 能谱; 体材料; 表面缺陷; 薄膜结构; 离子注入缺陷;

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