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CDB的源修正

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本文测量了Ti、Ni、Cu、Al以及Si的符合多普勒展宽谱,对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合出其中的源湮没强度.并给出了Si的多普勒展宽谱在源修正前后的商谱曲线,讨论了源成分的影响.文章中用高斯-抛物线模型拟合多普勒展宽谱,将多普勒展宽谱中自由电子的湮没贡献和核心电子的湮没贡献分开,进而探讨了只对核心电子的湮没贡献做源修正的方法.

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来源
《第九届全国正电子谱学术会议》|2005年|151-156|共6页
会议地点浙江绍兴
作者
苏本法; 王柱; 黄长虹; 王少阶;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类谱仪;有色金属及其合金;固体缺陷;
关键词
正电子湮没; 符合多普勒展宽谱; 源修正; 最小二乘法; 固体缺陷;

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