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快中子辐照直拉硅中的空位型缺陷研究

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采用正电子湮没(PAT)技术和傅立叶红外变换(FTIR)技术研究了高剂量(5×1017n·cm-3)快中子辐照直拉硅中的辐照损伤及其退火效应.实验表明辐照样品中存在着大量的单空位缺陷以及少量的双空位、四空位缺陷,随着退火温度的升高,单空位型缺陷(VO)消失.PAT结果显示,在200～450℃退火时,单空位型缺陷急剧减少.由FTIR吸收谱可以看到,随着829cm-1(VO)吸收峰的消失出现824cm-1(V2O2)、834cm-1(V3O2)、888cm-1(VO2)和840cm-1(V2O)四个吸收峰.另外,在919.6cm-1处也有缺陷复合体的吸收峰出现.多普勒展宽谱也说明450℃退火时缺陷开始明显减少,800℃退火时,缺陷浓度最低.

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来源
《第九届全国正电子谱学术会议》|2005年|125-128|共4页
会议地点浙江绍兴
作者
刘丽丽; 杨帅; 陈贵锋; 潘梦宵; 马巧云; 李养贤; 王宝义;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类杂质和缺陷;谱仪;
关键词
快中子辐照直拉硅; 空位缺陷; 辐照损伤; 退火效应; 正电子湮没; 多普勒展宽谱;

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