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Cu-Zr/ZrN薄膜体系的低电阻率

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Cu的扩散主要是通过晶界扩散,因而非晶扩散阻挡层逐渐成为人们研究的热点.由于TiN有低的接触电阻,相应推测ZrN也有很低的接触电阻.为此本文采用磁控溅射方法在Si(111)基片上沉积Cu-Zr/ZrN薄膜体系作为扩散阻挡层.通过比较Cu-Zr/ZrN薄膜体系和三元非晶(Mo,Ta,W)-Si-N的电阻率,同时比较Cu-Zr/ZrN薄膜体系和Ta、TaN的硬度,说明作为扩散阻挡层的材料的选取,应从整体性能上考虑,而不能仅仅考虑热稳定性等单一指标.

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来源
《TFC'2005全国薄膜技术学术研讨会》|2005年|50-53|共4页
会议地点大连
作者
白宣羽; 汪渊; 徐可为; 范多旺;
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作者单位

中国真空学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TG146.414;TG113.224;
关键词
非晶; 电阻率; 纳米压入; 硬度;

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