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基于中子照相的导爆索缺陷检测的蒙卡模拟计算

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导爆索缺陷检测是中子照相的重要应用领域之一,中子束能谱、滤束材料及中子散射等因素都会影响导爆索图像对比度.采用Monte Carlo方法计算了这些因素的影响,并给出了定量的结果,计算采用MCNP/4B软件.

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来源
《第十二届全国核电子学与核探测技术学术年会》|2004年|113-11571|共4页
会议地点昆明
作者
张强; 缪正强; 杨军;
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作者单位

中国电子学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TL816.3;TQ565.4;
关键词
中子照相; Monte Carlo方法; 能谱; 导爆索; 缺陷检测; 中子束能谱;

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