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硫化温度对硫化FeS制备二硫化铁薄膜的影响

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首先用真空热蒸发法在玻璃衬垫上淀积约为200nm厚的硫化亚铁薄膜,然后将其硫化制得二硫化铁(黄铁矿)薄膜.为了研究硫化温度在硫化过程中对制备二硫化铁(黄铜矿)薄膜的影响,分别将厚度相同的FeS薄膜在300℃、400℃、500℃、600℃温度下硫化.对不同硫化温度条件下制备的二硫化铁薄膜做了XRD、扫描电镜分析了薄膜的成分和表面形貌.同时也测量了所制备的二硫化铁薄膜的光吸收系数、电阻率。

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来源
《2004年全国光电技术学术交流会》|2004年|645-647|共3页
会议地点福建厦门
作者
钟南保; 程树英;
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作者单位

中国宇航学会;

中国光学学会;

中国电子学会;

中国航空学会;

中国兵工学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜的生长、结构和外延;太阳能电池;
关键词
二硫化铁薄膜; 太阳能电池材料; 硫化; XRD; 真空热蒸发法; 玻璃衬垫;

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