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新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器

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本文研制的振动传感器是一种利用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻元件的磁阻效应的新型振动传感器.与用普通压电陶瓷片或电感线圈构成的振动传感器相比,这种传感器的灵敏度更高,频率响应宽.经实测,其提供的电信号的信噪比大于60dB.这种振动传感器适用于物体振动检测、防盗报警、振动锁、运动控制开关、自动控制开关等.

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来源
《第八届敏感元件与传感器学术会议》|2003年|307-310|共4页
会议地点北京
作者
郑鑫; 黄钊洪;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

中国电子学会;

中国航空学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TP212.12;
关键词
InSb-In; 共晶体薄膜; 磁阻效应; 振动传感器;

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