• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中文会议>压电晶体2003年年会 >晶体谐振器的激励电平依赖性及相位噪声的测量与研究

晶体谐振器的激励电平依赖性及相位噪声的测量与研究

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

目前,一个困扰晶体制造商的最大问题是低噪声晶体的大批量生产与测试.在频率年会汇编的文献中曾有报道:生产中预测晶体的相位噪声的有效方法,是测量晶体对激励电平的依赖(即晶体的DLD)特性.它说明当晶体的谐振电阻随着激励电平的增加而变化时,晶体的相位噪声也有相同的变化规律.这样导致我们相信通过减小晶体电阻的DLD参数,就可能达到降低晶体的相位噪声的目的.人们认为晶片表面的沾染物是导致晶体DLD现象的原因之一.本文通过测量大批同一型号的100MHz的晶体,验证了晶体的DLD和相位噪声的相互关系.测量了不同外型、不同频率的晶体表面沾染物对DLD和相位噪声的影响.同时,还测量了不同的测试设备对DLD参数的影响.实验发现:对于各种不同外型的晶体,晶体的DLD参数不是筛选晶体短期稳定度最有效的方法.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号