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氢稀释对硅基薄膜光电性能及微结构的影响

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利用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究了氢稀释率(SC(SiH<,4>/SiH<,4>+H<,2>)=10﹪~1﹪)对硅基薄膜微结构及光电性能的影响.结果表明,当硅烷浓度在10﹪~2﹪范围内时,随硅烷浓度的减小,样品的暗电导增大,光暗电导比逐渐减小.但是当硅烷浓度为1﹪时,光敏性突然增大,样品的光暗电导比(σ<,ph>/σ<,d>)达到4.6×10<'6>,电导激活能E<,a>=0.795eV,带隙E<,g>=1.96eV.结合样品的FTIR谱,我们认为,在氢稀释率较低时,随着氢稀释的增大,样品由排晶硅薄膜向微晶硅薄膜逐渐过渡.当氢稀释率高到SC=1﹪时,样品转变为纳米硅薄膜.这种宽带隙、高光敏性的氢化纳米硅有望成为一种新颖的光伏材料.

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来源
《2003年中国太阳能学会学术年会》|2003年|118-121|共4页
会议地点上海
作者
侯国付; 张晓丹; 朱峰; 任慧志; 赵颖; 耿新华;
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作者单位

中国太阳能学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类太阳能电池;
关键词
化学气相沉积; 傅立叶变换红外谱; 氢稀释; 氢化纳米硅; 硅基薄膜; 光电性能; 微结构;

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