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慢正电子束研究Cu/6H-SiC(0001)结构所发现的双向相变

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本文报道我们用慢正电子束技术研究Cu/SiC结构的结果.用Doppler展宽能谱线形S参数测量,从10K—300K改变样品的温度测量不同温度的S-E曲线.由此我们发现在13K和245K时Cu/SiC结构存在双向相变的现象.

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来源
《第三届中国国际保健节》|2003年|46-48|共3页
会议地点北京
作者
翁惠民; J.D.Zhang; C.C.Ling; C.D.Beling; S.Feng;
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作者单位

中国保健科学技术学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类理论（粒子动力学）;
关键词
慢正电子束; S-E曲线; 铜/碳化硅; 双向相变; 温度测量;

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