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正电子研究Ag离子注入SiO<,2>玻璃形成纳米晶粒缺陷及退火研究

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用正电子探测的方法检测Ag离子注入SiO<,2>玻璃样品,与基片进行比较.注入样品的缺陷导致了正电子湮灭参数的显著变化.用Nelt程序对湮没数据进行拟合,分析两组样品注入损伤的深度分布、缺陷对正电子的捕获系数.讨论不同剂量注入损伤缺陷的差别和它们在退火中的行为.结合光学透射率的变化,研究Ag离子注入SiO<,2>玻璃形成纳米颗粒的成核和生长过程.

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来源
《第八届全国正电子谱学会议》|2002年|79-80|共2页
会议地点宜昌
作者
陈海波; 蒋昌忠; 梁波;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类基础理论;中子能谱;
关键词
正电子; 离子注入; 纳米颗粒; 透射率; 晶粒缺陷;

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