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SiC MPS的分析设计和研制

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本文介绍了具有肖特基正向特性和PN结反向特性的新型整流器-混合PiN/Schottky二极管(MPS).理论分析了该器件的正向导通、反向阻断和击穿特性,以4HSiC材料为例模拟和优化设计了器件的外延层掺杂浓度和厚度、肖特基接触和PN结网格宽度、PN结深度和掺杂浓度等主要的结构参数.成功的制作了以Ni做肖特基金属,拥有JTE终端的4H-SiC MPS二极管,器件的击穿电压在600V-700V之间,约为平行平板结理论值的70﹪.反向漏电流在-600V时小于10<'-6>A/cm<'2>,而正向电流密度在3.5V时达1000A/cm<'2>.

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来源
《中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会》|2002年|156-159|共4页
会议地点深圳
作者
张玉明; 牛新军; 张义门;
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作者单位

中国电工技术学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体二极管;电工基础理论;
关键词
肖特基二极管; 正向导通; 反向阻断; 击穿特性;

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