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低压MOCVD ZnO的生长与性质

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利用LP-MOCVD技术在(0002)蓝宝石衬底上制备出c轴取向高度一致的单晶ZnO薄膜,AFM测量显示其表面形貌为柱状生长的光滑表面,室温及低温光荧光谱测量显示近带边发射和激子发射,没有观察与深能级有关的蓝带等发射.采用Al电极制备出ZnO的MSM结构的光导型探测器原型器件,在紫外波段观察到与带边吸收有关的光电响应.

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来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|160-162|共3页
会议地点厦门
作者
顾书林; 叶建东; 朱顺明; 陈童; 秦锋; 赵伟强; 胡立群; 张荣; 施毅; 郑有炓;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21;TN304.055;
关键词
光电性质; 氧化锌薄膜; 化学气相淀积; 薄膜制备;

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