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AlGaInP/GaAs HBT工艺研究

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对AlGaInP/GaAs HBT制备中的基区台面腐蚀、欧姆接触和掩模版标记套刻技术进行了研究,对上述工艺中发现的问题,提出了解决方法,获得了较好的效果.

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来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|260-263|共4页
会议地点厦门
作者
程知群; 孙晓玮; 钱蓉;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
台面腐蚀; 欧姆接触; 标记套刻; 异质结双结型晶体管; 砷化镓;

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