首页> 中文会议>第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 >高响应度GaN紫外探测器的研制

高响应度GaN紫外探测器的研制

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

采用金属有机物化学气相外延(MOCVD)方法,在蓝宝石衬底上以低温GaN为缓冲层生长了GaN外延层.以上述材料制备了金属-半导体-金属(M-S-M)光导型探测器.对该探测器进行了测量,其光谱响应表明:从330nm到360nm内都有较高的响应,并且在360nm附近有陡峭的截止边.该探测器的工作电压范围大,在30V偏压下最大响应度约为7000A/W.研究了光从探测器的正反两面入射时对响应度的影响,并讨论了其原因.

著录项

来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|501-503|共3页
会议地点厦门
作者
沙金; 周建军; 江若琏; 刘杰; 沈波; 张荣; 郑有炓;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体光电器件;
关键词
光电探测器; 紫外探测器; 氮化镓; 光电流;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析 [J] . 刘宗顺 ,赵德刚 ,朱建军 . 半导体学报：英文版 . 2007,第4期
2. 高响应度GaN紫外探测器 [J] . 沙金 ,江若琏 ,周建军 . 半导体光电 . 2003,第3期
3. 基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器 [J] . 郑剑 ,姜明明 ,李炳辉 . 发光学报 . 2014,第011期
4. 高响应度Al0.1Ga0.9N薄膜紫外探测器研究 [J] . 王兰喜 ,陈学康 ,王瑞 . 真空与低温 . 2009,第001期
5. 高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器 [J] . 游达 ,汤英文 ,赵德刚 . 半导体学报：英文版 . 2006,第5期
6. 高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制 [C] . 王承栋 ,杨集 ,冯士维 . 第十届全国敏感元件与传感器学术会议 . 2007
7. 高响应度氧化镓基日盲紫外探测器的研制 [A] . 刘宏宇 . 2019

高响应度GaN紫外探测器的研制

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅