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λ<,P>=0.97μm横向PIN结构锗硅光电探测器

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采用UHV/CVD锗硅薄膜生长工艺在SOI衬底上生长应变SiGe/Si结构后,用CMOS工艺流水线制作横向叉指状PIN光电探测器.测试结果为:在垂直入射光照射下,其响应波长范围为0.5~1.2μm,峰值响应波长为0.97μm,在峰值响应波长的响应度为0.4μA/μW.在0~4V的反向偏压下,其暗电流水平低于0.1pA/μm<'2>,寄生电容小于1pF.与CMOS集成电路制作具有良好的兼容性.

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来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|530-533|共4页
会议地点厦门
作者
郭辉; 郭维廉; 郑云光; 郝禄国; 李树荣; 吴霞宛;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体光电器件;
关键词
CMOS/SOI; SiGe/Si; 光电探测器; 结构设计; 器件制作;

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