首页> 中文会议>第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 >RF-MBE生长AlN/GaN周期结构二维电子气材料

RF-MBE生长AlN/GaN周期结构二维电子气材料

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN周期结构极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2.2×10<'18>cm<'-3>,相应的电子迁移率为221cm<'2>/Vs;GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为7arcmin;AlN/GaN周期结构极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为1086cm<'2>/Vs,相应的电子气面密度为8.0×10<'12>cm<'-2>.

著录项

来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|78-81|共4页
会议地点厦门
作者
胡国新; 王晓亮; 孙殿照; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.26;TN304.054.4;
关键词
AlGaN/GaN; 半导体材料; 分子束外延; 二维电子气材料;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 [J] . 胡国新 ,王晓亮 ,孙殿照 . 半导体学报：英文版 . 2003,第6期
2. RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料 [J] . 胡国新 ,孙殿照 ,王晓亮 . 材料科学与工艺 . 2001,第003期
3. RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 [J] . 孙殿照 ,胡国新 ,王晓亮 . 半导体学报：英文版 . 2001,第11期
4. AlGaN/AlN_a/GaN/AlN_b/GaN HEMT结构材料生长及性能表征 [J] . 肖红领 ,王晓亮 ,张明兰 . 半导体技术 . 2008,第S1期
5. AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响 [J] . 钟林健 ,邢艳辉 ,韩军 . 发光学报 . 2014,第007期
6. 铁电/GaN异质结构的材料参数与二维电子气特性理论研究 [C] . 张继华 ,杨传仁 ,吴松 . 第十七届全国半导体物理学术会议 . 2009
7. ALGaN/ALN/GaN异质结二维电子气的磁输运特性研究 [A] . 焦莎莎 . 2011

RF-MBE生长AlN/GaN周期结构二维电子气材料

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅