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PECVD钝化技术在GaAs器件上的应用

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本文对GaAs器件(主要为HFET器件)利用PECVD技术钝化前后的器件特性进行了对比分析,得出对于GaAs器件的钝化膜,利用PECVD技术制作的SiNx膜的钝化效果优于SiO<,2>、SiON膜,低应力钝化膜优于高应力钝化膜的结论.

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来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|276-279|共4页
会议地点厦门
作者
郑英奎; 汪宁; 刘新宇;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN325.3;TN304.055;
关键词
PECVD; HFET; 钝化; 砷化镓器件; 化学气相淀积; 钝化技术; 器件性能;

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