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As压对LT-GaAs/AlGaAs多量子阱光学特性的影响

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本文讨论了低温生长引入的缺陷对LT-AsGs/AlGaAs光学特性的影响,并通过控制缺陷的种类和密度来改善材料的光学特性.

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来源
《第六届全国分子束外延学术会议》|2001年|41-42|共2页
会议地点贵阳
作者
韩英军; 郭丽伟; 黄绮;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;TN304.4;
关键词
多量子阱材料; GaAs/AlGaAs; 低温生长; 光学特性;

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