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氮化镓材料的MBE生长研究

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本文介绍了在改造过的国产MBE设备上使用NH<,3>作氮源,采用GS MBE分法在(00001)Al<,2>O<,3>衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜.

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来源
《第六届全国分子束外延学术会议》|2001年|53-54|共2页
会议地点贵阳
作者
王军喜; 孙殿照; 王晓亮; 刘宏新; 曾一平; 李晋闽; 林兰英;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;TN304.41;
关键词
氮化镓; 分子束外延; 材料性能; 半导体材料;

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