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应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器

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量子级联激光器对光子能量的剪裁是有一定限度的,在高能端,主要是受两种半导体材料的导带不连续量决定.因此要使该类激光器的工作波长在4.3μm以下,必须采用应变补偿的方法来提高InGaAs/InAlAs材料体系的导带不连续.本文介绍了量子级联激光器的结构,器件性能.

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来源
《第六届全国分子束外延学术会议》|2001年|114-115|共2页
会议地点贵阳
作者
刘峰奇; 张永照; 王占国; 江德生;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体激光器;
关键词
量子级联激光器; 应变补偿; 器件结构; 器件性能;

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