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新的Inp基InGaAs/InAlAs绝缘栅P-HEMT的试验

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本文对采用新方法试制的IG-PHEMT的DC和RF特性进行了评价,并介绍了器件的简单制造工艺.

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来源
《第六届全国分子束外延学术会议》|2001年|86-87|共2页
会议地点贵阳
作者
谢永桂;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体三极管（晶体管）;半导体器件制造工艺及设备;
关键词
晶体管; 电气特性; 制造工艺; 界面态控制;

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