首页> 中文会议>第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 >SIS模型在SIMOX SOI圆片无损电学表征测试上的应用

SIS模型在SIMOX SOI圆片无损电学表征测试上的应用

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文描述一种新的C-V,I-V电学表征技术.通过这种模型的电学测试和参数提取,我们可以获取SIMOX(离子束注入隔离氧化层)SOI圆片的上界面和下界面的界面态参数以及埋氧层的质量.传统的MOS电容结构测试电学特性应用到SOI圆片的时候要求把SOI圆片的表层硅腐蚀掉,这样虽然可以得到埋氧层和下界面的特性参数,但是不能得到表层硅和上界面的参数.而且由于腐蚀过程造成的损害,所以所得到的绝缘层的质量参数也是不准确的.所以我们在实验中直接利用SOI圆片的SIS(Silicon-Insulator-Silicon)结构.经过最小的样品准备过程,通过模型的高斯定律和泊松方程求解得到参数提取方程,得到一种SOI圆片的无损电学表征方法.在实验中,我们所用的样品包括自己实验室所制备的低剂量超薄SIMOX SOI圆片以及美国Ibis公司的低剂量SIMOX SOI圆片,将实验结果进行对比,得到了实验数据结果.

著录项

来源
《第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会》|2001年|128-132|共5页
会议地点成都
作者
黎传礼; 俞跃辉; 陈猛;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类测量和检验;掺杂;
关键词
电学表征; SIS结构; 电容结构; 离子束注入隔离氧化层; SOI圆片;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 低剂量SOI圆片的无损电学表征测试 [J] . 黎传礼 ,俞跃辉 ,陈猛 . 功能材料与器件学报 . 2002,第2期
2. 超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET电学表征 [J] . 张帅 ,张正选 ,毕大炜 . 功能材料与器件学报 . 2010,第1期
3. Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应 [J] . 杨慧 ,张正选 ,张恩霞 . 功能材料与器件学报 . 2007,第3期
4. 圆片级叠层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用 [J] . 齐虹 ,丁文波 ,张松 . 传感器与微系统 . 2019,第002期
5. 中科院与是德科技有限公司共建110GHz晶圆片上测试系统 [J] . . 军民两用技术与产品 . 2015,第7期
6. SIS模型在SIMOXSOI圆片无损电学表征测试上的应用 [C] . 黎传礼 . 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 . 2001
7. 低剂量超薄SIMOX圆片制备技术的应用研究 [A] . 王湘 . 2003

SIS模型在SIMOX SOI圆片无损电学表征测试上的应用

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅