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用溅射法制备Cr·SiO薄膜电阻器

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本文介绍应用溅射工艺制备Cr·SiO薄膜电阻器的方法,通过大量的实验及不断的工艺优化,制备出了高精度、高稳定性、低TCR的HIC中的成膜电阻器基片,并已投入批量生产.

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来源
《2001年全国电源技术应用研讨会,2001年全国电子元器件应用研讨会》|2001年|216-217|共2页
会议地点北京
作者
王军峰; 殷小莉; 陈福山;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜电阻器;制造工艺、安装;
关键词
HIC; 薄膜电阻器; 溅射工艺; 阻值稳定性;

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