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硅刻蚀现场研究的表面拉曼光谱技术

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通过对拉曼谱仪和电极粗糙方法的优化，该文将表面拉曼光谱技术拓宽到了半导体硅电极表面的现场研究。文中观测了不同粗糙时间对硅刻蚀的影响，并实时考察了硅氢表面在开路电位下的氧化过程。实验结果表明，在以HF为主的湿法刻蚀中，硅表面的悬挂键主要被H而不是被F取代。

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来源
《第七届原子光谱分析学术报告会》|2000年|833-835|共3页
会议地点成都
作者
刘峰名; 任斌; 田中群;
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作者单位

中国化学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类原子发射光谱分析法;
关键词
显微拉曼光谱; 表面氧化; 硅刻蚀;

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