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化学气相沉积法无催化制备定向生长硅纳米棒

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摘要

利用化学气相沉积法在经过稀释HF处理的SiO<,2>/Si片上，制备出定向生工的硅纳米棒。利用场发射扫描电子显微镜和高分辨透射电镜对样品的表面形貌和结构进行观测。结果表明：在衬底生长出直径为300nm、长度达几个微米的定向生长的硅纳米棒；这些纳米棒为多晶态。讨论了无催化生长定向硅纳米棒的生长机理。

著录项

来源
《第一届全国纳米技术与应用学术会议》|2000年|81-84|共4页
会议地点厦门
作者
刘祖琴; 唐东升; 邹小平; 李玉宝; 周维亚; 王刚;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;
关键词
化学气相沉积法; 硅纳米棒; 团簇;

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