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单电子晶体管的研制和室温下单电子效应的观察

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用扫描遂道显微镜(STM)在以Si为衬底的Ti膜上加工成单电子晶体管结构，在室温下观察到单电子库仑阻塞效应，库仑台阶及振荡现象。在栅端加不同电压，通过STS测试得到栅控的I-V特性。对实验结果进行了实步分析。

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来源
《第一届全国纳米技术与应用学术会议》|2000年|341-344|共4页
会议地点厦门
作者
程子川; 蒋建飞; 蔡琪玉; 赵小林;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;
关键词
隧道结; 库仑阻塞; 扫描隧道谱; 栅控特性;

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