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刘晓彦; 孙雷; 杜刚; 韩汝琦;
中国电子学会;
肖特基隧道晶体管; 量子效应; 掺杂;
机译:非对称Ge肖特基隧道源N沟道场效应晶体管的制造及其隧道传导的表征
机译:六角形氮化物氮化物封装单层WSE2隧道场效应晶体管中的UltraLow肖特基障碍
机译:使用金属氧化物半导体场效应晶体管结构在室温下检测跨越肖特基隧道势垒的硅中自旋积累的现象(受邀)
机译:掺杂剂隔离金属源隧道场效应晶体管,具有肖特基势垒和带带隧道隧道
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:通过设计肖特基势垒在金属/铁电/半导体隧道结中的巨大隧道电阻
机译:基于高肖特基势垒的双边门和辅助栅极控制双向隧道场效应晶体管
机译:约瑟夫逊隧道结中的宏观量子效应
机译:组合晶体管隧道二极管CCT。 -在晶体管基极发射器cct中具有与肖特基二极管或锗二极管串联的隧道二极管。
机译:肖特基势垒MOS晶体管的生产或完全耗尽的绝缘体上硅型薄膜,涉及在隧道中填充介电层,以及横向蚀刻该层以在栅极区域下维持介电区
机译:肖特基势垒量子阱谐振隧道晶体管的尺寸比金属氧化物半导体场效应晶体管小,并且封装密度高
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