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马春生; 张玉贤; 刘式墉;
中国电子学会;
多量子阱激光器; 应变补偿; 零净应变; 阈值特性;
机译:零净应变和常规应变的InGaAsP / InP多量子阱激光器
机译:1.55 / splμm/ m应变补偿多量子阱分布式反馈激光器中阈值电流的温度依赖性
机译:体层,应变和非应变多量子阱1.55μm半导体激光器中的间隔带吸收系数测量
机译:单步MOVPE生长的高度可靠的1.55- / splμ/ m应变补偿多量子阱分布反馈脊形波导激光器
机译:1.55微米应变和应变补偿多量子阱单频激光器的设计,分析和制造技术。
机译:硅衬底上InGaN / GaN多量子阱中的应变控制复合
机译:错误:'''''''光浸润的长波长垂直腔表面发射激光器,使用应变补偿多量子阱''Appl。物理。吧。 64,3395(1994)
机译:在第一和第二量化态下工作的拉伸应变1.55微米量子阱激光器的增益压缩
机译:应变补偿多量子阱激光器结构
机译:在SnySizGe1-y-z缓冲硅上生长的应变工程直缝式Ge / SnxGe1-x异质二极管和多量子阱光电探测器,激光器,发射器和调制器
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