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纳米技术对CMOS集成电路测试的影响

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本文首先说明了纳米技术对故障测试影响的几个方面,然后详细分析了纳米技术对常用的CMOS集成电路故障模型(如:单一固定性故障模型、桥路故障模型、开路故障模型、延迟故障模型和I<,DDQ>故障模型)的影响及相应的措施,这对实际测试CMOS集成电路具有指导意义.

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来源
《全国第六届电子测量与仪器学术报告会》|2000年|11-14|共4页
会议地点太原
作者
刘建都; 牛鹏俊;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类特种结构材料;半导体集成电路（固体电路）;测试技术及设备;
关键词
纳米技术; 集成电路; 故障模型; 金属氧化物半导体; 故障测试;

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