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用纳米化硅制备的多孔碳化硅的光致发光特性

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摘要

用电化学阳极氧化法在淀积于Ｓｉ（１００）衬底上的纳米碳化硅薄膜中制成局部的多孔碳化硅样品。在对这种多孔碳化硅薄膜样品进行的光致发光实验中观察到较强的室温可见光荧光及其在紫外光辐射下强度进一步升高并伴随有光谱展宽和峰值能量升高的反常现象。

著录项

来源
《第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|1999年|180-183|共4页
会议地点大连
作者
马剑平; 陈治明; 余明斌; 罗家骏; 雷天民;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.24;
关键词
碳化硅; 多孔材料; 光致发光;

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