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掺铒非晶氧化硅的光致发光

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用ＰＥＣＶＤ方法生长不同氧含量的非晶化硅（ＳｉＯ〈，ｘ〉（０＜Ｘ＜２）薄膜，离子注入Ｅｒ〈’３＋〉，退火后在７７Ｋ测量铒在１５４μｍ处的光致发光。７７Ｋ温度下的铒离子的光致发光强度随着非晶氧化硅中氧含量的变化近似呈正态分布，最强的发光强度对应于非晶氧化硅中氧含量约为５０ａｔ℅。即７７Ｋ时掺铒的非晶氧化硅在硅氧含量大致相同的条件下其发光效率最大，当氧含量变大或变小时，铒的发光强度都有所下降ＰＬ最强。变激发功率的ＰＬ曲线表明发光强度随着激发功率的增大以指数形式增加。

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来源
《第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|1999年|191-193|共3页
会议地点大连
作者
梁建军; 陈维德;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类掺杂;
关键词
非晶氧化硅; 掺杂; 铒; 离子注入;

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