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重掺锑硅单晶生长中锑的分凝与挥发

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摘要

该文研究了重掺锑硅单昌生长过程中锑的发凝行为，指出在同样的工艺参数下，热场不同，锑的有效分凝系数有很大的差异。同时对收集的挥发沉淀物，通过ＸＲＤ，ＸＲＳ分析其成份，发现锑以氧化物形式挥发，并对锑的挥发机制进行了探讨。

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来源
《第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|1999年|74-77|共4页
会议地点大连
作者
李立本; 张锦心; 阙端麟;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;
关键词
硅单晶生长; 重掺杂; 锑; 挥发; 分凝;

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