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直拉硅单晶的辐射效应和加固方法

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该文概述了直拉硅单晶在快中子、γ射线、电子辐照下的辐照效应（主要是载流子去除效应和少子寿命的降低），对γ辐照实验做了重点研究，发现在总剂量１０〈’５〉￣１０〈’６〉ｒａｄ（Ｓｉ）下，直拉硅单晶电阻率变化不大，寿命明显降低，采用大剂量掺锗及γ预辐照并退火的方法，可提高硅单晶的少子寿命并使之更稳定。

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来源
《第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|1999年|110-113|共4页
会议地点大连
作者
刘锋; 张忆延; 纪秀峰; 裴志军;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;
关键词
直接硅单晶; 辐射效应; 加固; 电阻率; 载流子寿命;

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