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离子注入形成硅化物相的研究

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用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｌａ离子注入到单晶硅中形成掺杂层，用ＸＲＤ、ＳＥＭ分析了掺杂层的物相和表面形貌。分析表明在强流离子注入后，掺杂层中有硅化物形成，且形成相的种类与注入离子剂量、束流密度及后续热处理条件紧密相关。对Ｌａ硅化物的形成过程进行了讨论。

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来源
《第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|1999年|150-153|共4页
会议地点大连
作者
肖志松; 易仲珍; 张通和;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类掺杂;
关键词
离子注入; 硅化物; 物相; 表面形貌;

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