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InSb在高压下的状态方程、电学性质与金属化相变

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在活塞-圆筒式p-V关系测量装置上研究了单晶InSb在室温下、4.5GPa内的p-V关系实验结果发现它在2.4GPa左右发生了相变。给出了它在相变前后的状态方程、格临爱森参数γ0、体弹模量B0和B0的压力导数B0'。同时，还在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法研究了单晶和多晶InSb在室温下，10GPa内的电阻、电容和压力的关系。实验结果表明，单晶和多晶InSb分别在3.4GPa和2.2GPa左右发生了金属相变。

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来源
《第十届全国高压学术讨论会》|1999年|79-83|共5页
会议地点长沙
作者
鲍忠兴; 鲍忠兴; 鲍忠兴; 柳翟霞; 陈诺夫;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 O521.2;
关键词
状态方程; 电阻; 电容; 金属化相变;

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