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Si<,3>N<,4>薄膜的制备及结构成分研究

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该文介绍了利用微波ECR-PCVD技术制备Si<,3>N<,4>薄膜的工艺过程及沉积温度对Si<,3>N<,4>薄膜的结构成分的影响。通过红外光谱（IR）检测表明，随着沉积过程中温度的提高，Si<,3>N<,4>薄膜中H的含量逐渐减少，密度逐渐增大，致密性得到显著提高。

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来源
《第九届全国等离子体科学技术会议》|1999年|89-92|共4页
会议地点大连
作者
程绍玉;
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作者单位

中国力学学会;

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
Si,3N,4薄膜; ECR; 粒子辐射损伤; 结构成分;

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