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高性能1.55um InGaAsP/InP应变量于阱DFB激光器的研制

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该文报道了利用低压MOCVD研制的1.55um应变量子阱DFB激光器。DFB激光器在25℃下的阈值电流为8-15mA，单面效率可达0.28mW/mA．边模抑制比为40dB-20dB的谱宽小于0.3nm。单模成品率为90℅。在25-45℃范围内，DFB激光器的特征温度为117k这是目前文献报道的最好结果。

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来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|262-264|共3页
会议地点宜昌
作者
沈坤; 周宁;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体激光器件;
关键词
高性能; 1.55um InGaAsP/InP应变量子阱DFB激光器;

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