首页> 中文会议>全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 >LEC（Ⅲ）GaP晶片缺陷的观察

LEC（Ⅲ）GaP晶片缺陷的观察

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

该文叙述使用STM、SEM观察GaP晶片切割、研磨引入的损伤及磨片和抛光试验。所得结果为：切片损伤层约30.3um，磨片损伤层≤20um。也观察到一些GaP单晶锭局部表面布满麻坑，这是单晶生长时，磷挥发造成的，离表西100～150um范围有Ga凝聚物，它是由于磷挥发后造成Ga过剩并聚集在二起形成的。

著录项

来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|51-55|共5页
会议地点宜昌
作者
陈坚邦; 郑安生;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体技术;
关键词
LEC（Ⅲ）GaP晶片缺陷;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. LEC < 111 > 磷化镓晶片缺陷的观察 [J] . 陈坚邦 ,郑安生 . 稀有金属 . 1999,第5期
2. LEC GaAs晶片的表面缺陷与晶体缺陷 [J] . 朱蓉辉 ,曾一平 ,卜俊鹏 . 半导体学报：英文版 . 2007,第z1期
3. Implementation of a Telechemotherapy Module in the Peruvian Jungle with Adequate Quality of Life:Breaking the Access Gaps to Health with Teleoncology [J] . Tatiana Vidaurre ,Jule Vásquez ,Fernando Valencia . 癌症治疗（英文） . 2019,第8期
4. 非掺杂LEC砷化镓抛光晶片表面缺陷及晶体缺陷研究 [C] . 朱蓉辉 ,曾一平 ,卜俊鹏 . 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2006
5. 蓝宝石晶片缺陷激光无损检测及其计算模拟研究 [A] . 邓谋栋 . 2016

LEC（Ⅲ）GaP晶片缺陷的观察

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅