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响应8-12 um的lnGaAs／GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收

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利用分子束外延技术，研究人员生长了30周期的InGaAS/GaAS量子点超晶格。透射电镜表明各层量子点沿生长方向呈现很好的垂直对准。红外吸收测试观察到明显的垂直入射红外吸收，峰值波长为9.5um，第一次实现了量子点对应8—12um大气窗口的垂直入射红外吸收。这一结果预示了量子点超晶格结构在红外探测领域的潜在应用。

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来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|23-25|共3页
会议地点宜昌
作者
庄乾东; 李晋闽;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体技术;
关键词
lnGaAs／GaAs; 准量子点超晶格; 正入射红外吸收;

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