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三种GaAs MMlC MESFET混频器性能比较

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该文给出了三种GaAS MESFET单片混频器结构与芯片测试结果比较。实验表明，在相同本振功率激励下GeAs MMIC双栅混频器具有良好变频特性，栅混频器指标次之，漏混频器结构最简单，但变频特性不如前两种。

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来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|191-194|共4页
会议地点宜昌
作者
孙晓玮; 程知群;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体技术;
关键词
GaAs MMlC MESFET混频器; 性能比较;

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