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EEPLD CMOS 工艺的研制

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研究人员开发了一种新型的CMOS工艺技术，实现了在CMOSIC制造中嵌入EEPROM的制造技术。此新工艺制造的是双层多晶硅的EEPLD，与传统的双层多晶硅EEPROM的工艺相比，减少了20的工序。采用80埃的超薄栅隧道氧化层。用这种技术制造的EEPROM存贮单元，隧道窗口为1.4×1.4um2经过100万次擦写试验，性能仍然良好。单片集成电路成品率达90。

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来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|245-248|共4页
会议地点宜昌
作者
徐征; 陶建中;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类材料;
关键词
EEPLD; EEPROM; 隧道氧化层; 隧道窗口; 浮栅; 嵌入;

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