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In0.5Ga0.5P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管

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该文提出了一种新颖的GaAs基p沟异质结场效应管（pHFET）概念，器件采用了In0.5Ga0.5P/GaAs异质系统及二维空穴气（2DHG）原理以改善GaAs的主穴输运特性。据此原理研制的器件可在室温下工作，其实验结果为：室温下，饱和电流Idss=61mA/mm，跨导gm=41mS/mm;77K下，饱和电流Idss=94mA／mm，跨导gm=61mS/mm。这一结果远好于国外同行采用AlGaAs／GaAs和AlGaAs/InGaAs异质系统取得的pHFET的早期结果。预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益，因而具有良好的应用潜力。

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来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|216-219|共4页
会议地点宜昌
作者

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作者单位

中国电子学会;

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正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体技术;
关键词
In0.5Ga0.5P/GaAs二维空穴气; p沟异质结场效应管;

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