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GaP：NLPE半导体材料位错密度和位错坑形态分析

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该文利用扫描电子显微镜，详细地研究了GaP:NLPE材料中位错密度和发光的关系及位错坑形态。

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来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|142-145|共4页
会议地点宜昌
作者
李永良;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类材料;
关键词
GaP：NLPE半导体材料;

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