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AlGaInP/GaAsHBT器件的高温特性及失效机理的研究

摘要

该文研究了Al、Gan、In、P/GaAs异质结双极型晶体管(HBT)器件从室温到673K的输出特性,发现器件的直流电流增益从室温到623K下降不到l0,并且有很好的线性。

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