首页> 中文会议>全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 >混合应变量子阱材料的x-射线双晶衍射研究

混合应变量子阱材料的x-射线双晶衍射研究

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

研究人员研究了混合应变量子阱结构的MOCVD生长，并通过X射线双晶衍射曲线理论模拟，对混合应变量子阱结构进行了分析。归纳出了混合应变量子阱结构的X射线双晶衍射曲线满足的规律。

著录项

来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|34-36|共3页
会议地点宜昌
作者
张哲民; 金锦炎;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体技术;
关键词
混合应变量子阱材料; x-射线双晶衍射;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 应变量子阱结构材料X射线双晶衍射摇摆曲线的测试与分析 [J] . 丁国庆 . 光通信研究 . 1998,第001期
2. Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格X-射线双晶衍射的运动学研究 [J] . 段晓峰 ,冯国光 ,王玉田 . 半导体学报：英文版 . 1992,第1期
3. In_xGa_(1-x)As/InP应变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究 [J] . 王晓亮 ,孙殿照 ,孔梅影 . 半导体学报：英文版 . 1997,第7期
4. (ZnSe/CdSe)ZnSe/GaAs(001)多量子阱材料的X射线双晶衍射研究 [J] . 朱南昌 ,李润身 ,陈京一 . 红外与毫米波学报 . 1995,第003期
5. 用X射线双晶衍射及低温光致发光研究MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的均匀性 [J] . 冯禹臣 ,高大超 ,袁佑荣 . 半导体光电 . 1987,第2期
6. 小应变异质结构材料的X射线双晶衍射摇摆曲线的计算机模拟分析 [C] . 丁国庆 . 全国第8次光纤通信暨第9届集成光学学术会议 . 1997
7. GaAs多层异质外延结构材料和SiC MESFET结构材料的X射线双晶衍射分析 [A] . 马永强 . 2007

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号