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蔡淑惠;
中国核学会;
半导体异质结;
机译:GaAs-(Ge)2)_(1-x)(ZnSe)_x,Ge-(Ge_2)_(1-x)(ZnSe)_x,GaP-(Ge_2)_(1-x)(ZnSe)的晶体完善)_x,Si-(Ge_2)_(1-x)(ZnSe)_x异质结构
机译:GaAs - (Ge)2)_(1-x)(znse)_x,ge - (ge_2)_(1-x)(znse)_x,gap - (ge_2)_(1-x)(znse )_x,si - (ge_2)_(1-x)(znse)_x异质结构
机译:分析在发射极/基极异质结处具有渐变Al / sub x / Ga / sub 1-x / As层的InGaP / GaAs异质结双极晶体管的改进的DC和AC性能
机译:硅基异质结的电子性质研究:a-Si:H / c-Si和GaP / Si异质结的第一个原理研究
机译:P120RASGAP N-末端SH2结构域的晶体结构在其APO形式中并与P190RHOGAPPHOSPOOPYROSINE肽复合物
机译:GaAslAl(x)Ga(1-x)As和InGaP2 / AlxGa1-xAs异质结构中反斯托克斯和斯托克斯载流子传输现象的双色皮秒和连续波实验
机译:用于高温电子应用的Gap / al / sub X / Ga / sub 1-X / p异质结半导体控制整流器
机译:Si衬底上的Si-GaP-Si异质结双极晶体管(HBT)
机译:固态固态GaPAs周围的白色发光LED和LED异质结构GaP和Si母体溶液
机译:基于衬底GaP和Si上的半导体固溶体GaPAsN的LED白光和LED异质结构
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