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高耐压pnp超结缓冲层垂直结构AlGaN/GaN HFET优化设计

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为了解决GaN基HFET纵向结构器件目前面临着继续提高击穿电压与保持低比导通电阻之间的矛盾,本文提出一种带电流阻挡层的高耐压pnp超结缓冲层垂直结构AlGaN/GaN HFET (SJ-VHFET).当超结缓冲层中n区宽度为10μm,n、p区掺杂浓度分别为2× 1015cm-3和4×1015cm-3时器件的击穿电压达到了2604V,比导通电阻为8.3 mΩ·cm2，与文献已经报道的实验结果相比击穿电压提高了91％,比导通电阻降低了66％.而且通过进一步综合优化缓冲层的厚度、掺杂浓度等参数,本结构可以获得更高的击穿电压和更大的FOM优值。

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来源
《2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会》|2014年|132-138|共7页
会议地点太原
作者
刘勇; 杜江锋; 赵子奇; 黄思霓; 于奇;
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作者单位

中国半导体行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN322:TN303;
关键词
高电子迁移率晶体管; 氮化镓; 氮化镓铝; 高耐压pnp超结缓冲层垂直结构; 优化设计;

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